发明名称 |
制造层叠芯片封装的方法 |
摘要 |
一种制造层叠芯片封装(50)的方法,所述方法包括:将第一集成电路(IC)芯片(52)与底部基座(56)相连并电连接。在第一芯片(52)上形成多个依次相叠的粘合材料(54)层(54A、54B和54C)。利用粘合材料(54)使第二芯片(72)连接在第一芯片(52)上,使得依次相叠的粘合材料层(54A、54B和54C)在第一芯片(52)和第二芯片(72)之间保持预定的间距(H)。第二芯片(72)与底部基座电连接(56)。 |
申请公布号 |
CN1905145A |
申请公布日期 |
2007.01.31 |
申请号 |
CN200610094072.2 |
申请日期 |
2006.06.22 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
阿米努丁·伊斯梅尔;卢威耀;张光美;杨清才 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01);H01L25/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
张祖昌 |
主权项 |
1.一种制造层叠芯片封装的方法,其包括:将第一集成电路(IC)芯片连接在底部基座上;使第一芯片与底部基座电连接;在第一芯片上形成多个依次相叠的粘合材料层;利用粘合材料将第二芯片连接在第一芯片上,其中,所述依次相叠的粘合材料层在第一芯片和第二芯片之间保持预定的间距;以及使第二芯片与底部基座电连接。 |
地址 |
美国得克萨斯 |