发明名称 蚀刻方法
摘要 本发明系一种蚀刻方法,其蚀刻形成于基板表面之电极膜上层所形成之铁电膜或高介电质膜,同时保留该电极膜;该方法之特征在于使;该方法之特征在于使用全氟碳化物气体作为蚀刻气体。
申请公布号 TW200809960 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096116660 申请日期 2007.05.10
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 小风丰;远藤光广;植田昌久;邹红红
分类号 H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本