发明名称 |
强电介质电容器及其制造方法和强电介质存储装置 |
摘要 |
本发明所要解决的问题是提供一种强电介质特性良好、难以产生电极膜的剥离的强电介质电容器及其制造方法与强电介质存储装置。本发明的强电介质电容器的制造方法,在基体(10)的上方顺序配置下部电极(20)、至少一个中间电极(40)和上部电极(60),并在各个电极之间设置强电介质膜(30、50)。在中间电极(40)的形成工序中,(a)在强电介质膜(30)的上方通过溅射法形成第一金属膜(41),(b)在第一金属膜(41)的上方通过蒸镀法形成第二金属膜(46)。 |
申请公布号 |
CN100449685C |
申请公布日期 |
2009.01.07 |
申请号 |
CN200510107137.8 |
申请日期 |
2005.09.28 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
大桥幸司;木岛健 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/8242(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
1、一种强电介质电容器的制造方法,在基体的上方顺序配置下部电极、至少一个中间电极和上部电极,并在各个电极彼此之间设置强电介质膜,其特征在于:在所述中间电极的形成工序中,具有:在所述强电介质膜的上方通过溅射法形成第一金属膜的第1工序;在所述第一金属膜的上方通过蒸镀法形成第二金属膜的第2工序,所述下部电极,包含通过溅射法形成的电极材料的初始晶核和通过蒸镀法形成电极材料的成长层,在所述初始晶核和成长层之间形成扩散防止膜,或者当在所述初始晶核上层积多个成长层时,在所述成长层彼此之间形成扩散防止膜。 |
地址 |
日本东京 |