| 主权项 |
1.一种半导体机台之改良结构,其中包括: 一外盖; 一背板; 一靶材绝缘板,系设置于该外盖与该背板之间; 一靶材,系藉由该靶材绝缘板连接于该外盖;以及 一沉积物挡板,具有一顶面,该顶面邻接且不直接 接触该靶材绝缘板。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体机台之改良 结构,其中该半导体机台系一晶圆沉积制程室。 3.如申请专利范围第2项所述之半导体机台之改良 结构,其中该沉积物挡板于一晶圆沉积制程中阻隔 或吸附一第一沉积物,而该靶材绝缘板于该晶圆沉 积制程中阻隔或吸附一第二沉积物。 4.如申请专利范围第3项所述之半导体机台之改良 结构,其中该第一沉积物与该第二沉积物皆为电传 导物质。 5.如申请专利范围第4项所述之半导体机台之改良 结构,其中该制程室外盖为一金属所制成。 6.如申请专利范围第5项所述之半导体机台之改良 结构,其中该第二沉积物不电连接于该外盖。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体机台之改良 结构,其中该沉积物挡板又具有一斜面,该斜面邻 接于该顶面且系面向于该靶材。 8.如申请专利范围第7项所述之半导体机台之改良 结构,其中该第一沉积物之一主要附着部分系附着 于该斜面上。 9.如申请专利范围第1项所述之半导体机台之改良 结构,其中该沉积物挡板为一电绝缘材料所制成。 10.如申请专利范围第9项所述之半导体机台之改良 结构,其中该电绝缘材料为陶瓷材料或高密度工程 塑胶。 图式简单说明: 第1图系习知半导体机台示意图; 第2A图系半导体机台之改良结构之剖面示意图; 第2B图系半导体机台之改良结构之局部范围A之详 细示意图。 |
