发明名称 パターン形成方法
摘要 PROBLEM TO BE SOLVED: To ensure adhesion between a mask and an exposure target over a large area.SOLUTION: A mask for near-field exposure described in an embodiment comprises a silicon substrate and a near-field light generating part formed on the silicon substrate, which is a layer or a laminate film of layers containing at least one element selected from the group consisting of Au, Al, Ag Cu, Cr, Sb, W, Ni, In, Ge, Sn, Pb, Zn, Pd and C.
申请公布号 JP6014096(B2) 申请公布日期 2016.10.25
申请号 JP20140203371 申请日期 2014.10.01
申请人 株式会社東芝 发明人 信 田 直 美;都 鳥 顕 司;森 茂 彦;山 田 紘;山 際 正 和;吉 村 玲 子;堀 田 康 之;多 田 宰;柏 木 宏 之;米 田 郁 男
分类号 H01L21/027;G03F7/20 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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