半导体器件功率模块

摘要

本发明提出了一种半导体器件功率模块，属于半导体技术领域。所述模块包括：位于两侧的支撑结构，用于固定所述功率模块；位于所述支撑结构之间的沿纵向延伸的功率组件，所述功率组件包括通过压装机构压装的多个半导体器件，所述半导体器件包括集成门极换向晶闸管、箝位吸收二极管、中点箝位二极管和续流二极管。根据本发明的半导体器件功率模块电气性能优良，它充分发挥了集成门极换向晶闸管（IGCT）器件本身的潜力，具有结构紧凑、杂散电感小、散热能力强、易于维护等优点。

主权项

一种半导体器件功率模块，包括：位于两侧的支撑结构，用于固定所述功率模块；位于所述支撑结构之间的沿纵向延伸的功率组件，所述功率组件包括通过压装机构压装的多个半导体器件，所述半导体器件包括集成门极换向晶闸管、箝位吸收二极管、中点箝位二极管、续流二极管，所述模块还包括沿纵向从位于一侧的支撑结构延伸至另一侧的支撑结构的柱体，所述柱体内部具有用于冷却水的通道，所述柱体的数量为4根，位于两侧的支撑结构通过四根柱体紧固成一个框架。