| 发明名称 | 磁阻效应器件,磁阻头及制造磁阻效应器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜,它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α－Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>膜。多层膜的表面粗糙度约为0.5nm或以下。 | ||
| 申请公布号 | CN1235338A | 申请公布日期 | 1999.11.17 |
| 申请号 | CN98125636.8 | 申请日期 | 1998.09.29 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 川分康博;里见三男;杉田康成;榊间博 |
| 分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
| 主权项 | 1、磁阻效应器件，包括多层膜，该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或经过一下层设在非磁衬底上，其中：反铁磁膜包括α-Fe2O3膜；及多层膜的表面粗糙度约为0.5nm或以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||