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<p>Um vor und/oder während einer Behandlung eines Substrats unterhalb eines Substrats eingeschlossene Gasblasen auszuspülen, ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, mit einem eine Behälterwand aufweisenden Prozeßbehälter und einem über dem Prozeßbehälter bewegbar angeordneten Substrathalter, vorgesehen, bei dem ein zum Substrat weisender Rand der Behälterwand einen sich nach außen erweiternden Innenumfang aufweist. Über diesen Rand wird Behandlungsfluid zu einem Außenbereich des Substrats hin gerichtet. Bei einer Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit einem mit Behandlungsfluid befüllbaren Behälter, einem den Behälter umgebenden Überlauf und einem Substrathalter zum Positionieren eines Substrats oberhalb des Behälters, ist durch eine Steuereinrichtung zum Steuern eines Behandlungsfluid-Niveaus im Überlauf in Abhängigkeit vom Abstand des Substrathalters vom Behälter eine gleichmäßigere Behandlung der Substrate möglich.</p> |
