| 发明名称 | 氙预无定形化植入法 | ||
| 摘要 | 在形成源/漏极延伸区域(21)和源极/漏极区域(41)之前，利用植入Xe 15将硅绝缘层基板(101)预无定形化，藉此消除或大幅降低浮体效应。另一方面包括在形成具有减少垂直与横向散布的浅层接面之源极/漏极延伸区域和源极/汲极区域之前，将Xe<U>2</U>+离子植入到表体硅或SOI基板中，以产生无定形化的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1539160A | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
| 申请号 | CN02815221.2 | 申请日期 | 2002.04.05 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | M·S·布诺斯基;C－H·恩 |
| 分类号 | H01L21/265 | 主分类号 | H01L21/265 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：形成一种硅绝缘层(SOI)结构(101)，其包括：位于底部的硅基板(10)；在基板上埋入的绝缘层(11)；与位于该绝缘层上之上结晶硅(12)层；将氙(Xe)离子植入(15)到上硅层(12)以形成无定形化区域(12A)，并且从上表面向埋入的绝缘层(11)延伸；离子植入掺杂杂质(20)以形成源极/漏极延伸区域的植入物和源极/漏极区域的植入物；以及退火以活化浅层源极/漏极延伸区域(21)和源极/漏极区域(41)，并且使无定形区域(12B)结晶。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||