低温多晶硅薄膜晶体管的结构

摘要

本发明是关于一种低温多晶硅薄膜晶体管的结构，其包括数个多晶硅层，配置在一基板上，每一多晶硅层中包括有一源极区、一漏极区以及位于源极区以及漏极区之间的一沟道区；一栅介电层，覆盖住多晶硅层；一栅极，配置在沟道区上方的栅介电层上；一中间介电层，覆盖住栅极；数个源极接触窗/漏极接触窗，位于中间介电层以及栅介电层中，每一源极接触窗/漏极接触窗是与对应的源极区/漏极区电性接触；以及一源极金属层/漏极金属层，形成在中间介电层上，其中，源极金属层/漏极金属层是与源极接触窗/漏极接触窗电性连接。其可解决现有知大宽长比的低温多晶硅薄膜晶体管在大电流操作时元件容易因电流过大造成劣化，导致元件可靠性不佳问题，而具有非常适于实用的功效。

主权项

1、一种低温多晶硅薄膜晶体管的结构，其特征在于其包括：多个多晶硅层，配置在一基板上，其中每一该多晶硅层中包括有一源极区、一漏极区以及位于该源极区以及该漏极区之间的一沟道区；一栅介电层，覆盖在该多晶硅层之上；一栅极，配置在该沟道区上方的该栅介电层上；一中间介电层，形成在该基板的上方，覆盖住该栅极；多个源极接触窗，位于该中间介电层以及该栅介电层中，每一该源极接触窗是与对应的其中一该源极区电性接触；多个漏极接触窗，位于该中间介电层以及该栅介电层中，每一该漏极接触窗是与对应的其中一该漏极区电性接触；一源极金属层，形成在该中间介电层上，其中该源极金属层是与该源极接触窗电性连接；以及一漏极金属层，形成在该中间介电层上，其中该漏极金属层是与该漏极接触窗电性连接；其中每一该源极区/漏极区/沟道区以及该栅极是构成一子薄膜晶体管，且每一该子薄膜晶体管的沟道宽度为W，沟道长度为L。