发明名称 用以最佳化非晶矽之结晶之系统与方法
摘要 在一薄光束方向性结晶系统配置以对一玻璃基板上的矽层进行退火,其利用一特别的雷射光束分布曲线,在分布曲线的一边缘具有高峰值。此系统的组态系将一矽层的一空间控制部分完全熔化,产生横向长晶。藉由将基板或雷射以一特定步进尺寸移动,并使矽层接受连续的雷射「照射」,而将整个矽层结晶化。横向长晶会在熔化区域的中心生成一突出。此突出必须被再次熔化。因此,步进尺寸必须使得在连续冲击之间有足够的重叠区域,亦即熔化区域,以确保此突出会被熔化。此现象将需要使的步进尺寸小于光束宽度的一半。较小的步进尺寸会减少产能并增加成本。本发明系统与方法的特殊雷射分布曲线,可以增加步进尺寸,因此可以增加产能且减少成本。
申请公布号 TW200816320 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096129101 申请日期 2007.08.07
申请人 TCZ有限公司 发明人 布兰登 特克;伯恩德 博芬特;大卫 诺斯
分类号 H01L21/324(2006.01) 主分类号 H01L21/324(2006.01)
代理机构 代理人 李贵敏
主权项
地址 新加坡