以矽及有机前趋物沉积无缺陷初始层而减少电浆辅助化学气相沉积制程中之气相反应的方法

摘要

提供一种沈积低介电常数膜的方法，其系利用在具有偏压电极的处理腔室内设置基材，以及流入一流速的一或多种有机矽化合物和一流速的一或多种氧化气体的混合物到处理腔室，利用将 RF 功率施加于电极而沈积出一起始层，然后递增有机矽化合物的流速到最终流速以沈积第一过渡层，在其上引入一或多种致孔物以及递增致孔物的流速至最终沈积速度，同时沈积第二过渡层。然后，通过流入最终流速的致孔物和有机矽化物，直到 RF 功率关闭，而沈积出掺杂有致孔物的氧化矽层。