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Verfahren zum Herstellen einer Metallleitung eines Halbleiterbauteils, mit den folgenden Schritten: – Herstellen eines Zwischenschicht-Isolierfilms (12) auf einem Halbleitersubstrat (11) mit einer vorbestimmten unteren Struktur; – Herstellen eines feinen Musters im Zwischenschicht-Isolierfilm (12); – Herstellen eines Diffusionsbarrierefilms (13) auf der gesamten Struktur mit dem feinen Muster; – Herstellen einer Keimbildungsschicht auf dem Diffusionsbarrierefilm (13); – Ausbilden eines chemischen Unterstützungsmittelfilms (14) auf der Keimbildungsschicht durch Behandlung mit einem chemischen Unterstützungsmittel, wobei die Behandlung mit dem chemischen Unterstützungsmittel unter Verwendung eines der folgenden Materialien ausgeführt wird: flüssige Verbindung, die Jod enthält, reines Jodgas, Jod enthaltendes Gas, Dampf, Flüssigkeit oder Gas von F, Cl, Br, I, entsprechend den Elementen der siebten Gruppe, oder Flüssigkeit oder Gas einer Verbindung von F, Cl, Br, I; – Ausführen einer Plasmabehandlung; – Herstellen eines Cu-Dünnfilms (15) über der gesamten Struktur unter Verwendung eines der folgenden Mittel: (hfac)Cu(3-Hexyn), (hfac)CuMHY, (hfac)Cu-DMCOD, (hfac)CuVTMOS, (hfac)CuDMB und (hfac)CuTMVS, um das feine Muster einzubetten; und – Ausführen eines Polierprozesses zum Freilegen der Oberseite des Zwischenschicht-Isolierfilms (12), damit der Cu-Dünnfilm (15) nur innerhalb des feinen Musters verbleibt. |
