氮化硅的热化学气相沉积

摘要

本发明的设备包含处理区；基材托架；气体输送系统；气体混合区；加热组件，其用以将固定在面板上的转接环加热到所需要的温度；及有温度控制的排气系统。此外，本发明是关于一种方法和设备，其可将双(第三－丁基胺)硅烷气化；将双(第三－丁基胺)硅烷和氨送入处理室中；在由转接环和至少两折流板所界定的另一混合区中，组合此两种反应物；加热该转接环；并将该双(第三－丁基胺)硅烷经由气体分配板送入该处理区内。

主权项

1.一种用以在半导体基材上以低温形成沉积膜的设备，包含：室本体和室盖，其是界定出处理区；基材托架，其是配置在该处理区中；气体输送系统，其是装配在该处理室盖上，该气体输送系统包含由一转接环和两折流板所界定出的气体混合区，且有面板固定在该转接环上；及加热组件，其配置可对该转接环加热。