| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置。其中，该半导体装置具备：碳化硅半导体外延层，其被层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第2导电型杂质浓度相对地小、深部的第2导电型杂质浓度相对地大的分布方案。 | ||
| 申请公布号 | CN1906767A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200580001434.2 | 申请日期 | 2005.02.25 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 三浦峰生 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘建 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其是使用了碳化硅半导体基板的双重扩散MOS结构的半导体装置，其中，包括：碳化硅半导体外延层，其层叠在碳化硅半导体基板的表面上，并具有与碳化硅半导体基板相同的第1导电型；和杂质区域，其通过在该碳化硅半导体外延层的表层部掺杂第2导电型杂质而形成，并具有其表面附近的第2导电型杂质浓度相对地小、深部的第2导电型杂质浓度相对地大的分布方案。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||