| 发明名称 | 能储存高密度资料的高性能快闪存储器装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种方法用于编程包含存储器单元(201)之阵列(102)之非易失性存储器阵列，其中各存储器单元(201)包括基板(310)、控制栅极(328)、电荷储存组件(322)、源极区域(203)及漏极区域(202)。该方法包括接收含有将在该阵列中被编程之预定数量之位的编程窗(programming window)(700)，及判定该预定数量之位中哪几个位将于该存储器阵列中被编程(703)。该预定数量之位系同时被编程至该阵列中之对应的存储器单元(705)。该阵列中之该预定数量之位的编程状态系同时被验证(708)。 | ||
| 申请公布号 | CN101263563A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200680033325.3 | 申请日期 | 2006.09.08 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司 | 发明人 | 郭苕华;N·梁;杨念;王国威;A·李;S·钱德拉;M·A·范布斯科克;J·陈;D·汉密尔顿;李冰宽 |
| 分类号 | G11C16/12(2006.01);G11C5/14(2006.01) | 主分类号 | G11C16/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊 |
| 主权项 | 1、一种非易失性存储器阵列的编程方法，该非易失性存储器阵列包括存储器单元(201)的阵列(102)，每个存储器单元包含基板(310)、控制栅极(328)、电荷储存组件(322)、源极区域(203)及漏极区域(202)，该方法包括下列步骤：接收含有在该阵列中待编程的预定数量的位的编程窗(700)；判定该预定数量的位中哪几个位在该存储器阵列中待编程(703)；同时编程该预定数量的位至该阵列中的对应的存储器单元(705)；以及同时验证在该阵列中的该预定数量的位的编程状态(708)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||