| 发明名称 | 半导体测量装置及半导体测量方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于提供一种半导体测量装置，用电子束对形成有精细结构的半导体衬底的表面进行二维扫描，测量此时的衬底电流，从而能够评价复杂的精细结构。本发明的半导体测量装置的构成为，对半导体衬底照射电子束，根据由该电子束在所述半导体衬底感应出的衬底电流得到形成于所述半导体衬底的精细结构的评价值，其特征在于，该半导体测量装置包括评价单元，该评价单元根据将所述衬底电流的波形视为微分波形时的该衬底电流的波形，得到所述精细结构的评价值。 | ||
| 申请公布号 | CN101356635A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200680050908.7 | 申请日期 | 2006.01.31 |
| 申请人 | 株式会社拓普康 | 发明人 | 山田惠三;高荣旭 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 罗正云;宋志强 |
| 主权项 | 1、一种半导体测量装置，构成为，对半导体衬底照射电子束，根据由该电子束在所述半导体衬底感应出的衬底电流，得到形成于所述半导体衬底的精细结构的评价值，其特征在于，该半导体测量装置包括评价单元，该评价单元根据将所述衬底电流的波形视为微分波形时的该衬底电流的波形，得到所述精细结构的评价值。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||