階段構造を含む半導体デバイスおよびこれに関連する方法

摘要

三次元メモリデバイスなどの半導体デバイスは、導電性層の積層および階段構造を含むメモリアレイを含む。階段構造は、メモリアレイの第一部分および第二部分の間に配置され、導電性層の積層の其々の導電性層に対する接触領域を含む。メモリアレイの第一部分は、積層上の特定の方向に延びる第一の複数の選択ゲートを含む。メモリアレイの第二部分は、導電性層の積層上の特定の方向に延びる第二の複数の選択ゲートを含む。垂直方向メモリデバイスを含むこのような半導体デバイスの形成方法および動作方法も開示される。【選択図】図３