发明名称 IMAGING DEVICE
摘要 고품질의 화상을 촬영할 수 있고 저비용으로 제작할 수 있는 촬상 장치를 제공한다. 제 1 회로는 제 1 트랜지스터 및 제 2 트랜지스터를 포함하고, 제 2 회로는 제 3 트랜지스터 및 포토다이오드를 포함한다. 제 1 트랜지스터 및 제 3 트랜지스터 각각은 활성층으로서 산화물 반도체층을 포함하는 n채널 트랜지스터이고, 제 2 트랜지스터는 실리콘 기판에 활성 영역을 포함하는 p채널 트랜지스터이다. 포토다이오드는 실리콘 기판에 제공된다. 제 1 트랜지스터와 제 2 트랜지스터가 절연층을 개재하여 서로 중첩되는 영역이 제공된다. 제 3 트랜지스터와 포토다이오드가 상기 절연층을 개재하여 서로 중첩되는 영역이 제공된다.
申请公布号 KR20160133512(A) 申请公布日期 2016.11.22
申请号 KR20167028315 申请日期 2015.03.06
申请人 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 发明人 YAMAZAKI SHUNPEI;SAKAKURA MASAYUKI;KUROKAWA YOSHIYUKI
分类号 H01L27/146;H01L27/12;H01L29/786 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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