| 摘要 |
<p>Изобретението се отнася до метод на получаване нананослоеве от AlN, намиращи приложение като алтернативен диелектрик в прибори на базата на SiC и като подслой за епитаксиално израстване на GaN върхусилиций или сапфир, използвани във високотехнологичните процеси. Той е подходящ материал за оптоелектрониката в ултравиолетовия диапазон на работа, поради ширината на забранената зона (6.2 eV). Методът се реализира, като се използва система за бързотермично отгряване, като сапфирената подложка с нанесен върху нея слой от Аl се поставя директно върху волфрамовия нагревател, като атмосферата във вакуумната камера предварително е наситена с NH3 доналягане 2.10-2 Тоrr. Нагряването е съпротивително, като зададената температура (600 градуса С) се достига за 2 s и от зададената температура вследствие на термичната дисоциация на NH3 на атомарен азот и водород, протича химическо взаимодействие между алуминия и азота, водещо до образуване на нанослой (5-30 nm) от AlN, в зависимост от времето и температурата на процеса.</p> |
