| 发明名称 |
ReRAM WITH CATION SOLID ELECTROLYTE AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| 摘要 |
본 발명은 기존의 저항변화 메모리에 비해 빠른 스위칭 시간을 기대할 수 있는 양이온에 의한 이온 전도체로 이뤄진 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 양이온 고체 전해질을 적용한 저항변화 메모리는, 기판 상에 형성된 제1전극, 양이온을 포함하는 고체 전해질로 이뤄져 상기 제1전극 상에 형성된 저항변화 물질층 및 상기 저항변화 물질층 상에 형성된 제2전극을 포함하여 구성된다. |
| 申请公布号 |
KR20160125782(A) |
申请公布日期 |
2016.11.01 |
| 申请号 |
KR20150056703 |
申请日期 |
2015.04.22 |
| 申请人 |
POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION |
发明人 |
CHUNG, HA BIN;KANG, BYOUNG WOO |
| 分类号 |
H01L27/24;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L27/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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