| 摘要 |
1. Солнечный элемент с проходящими между передним и задним контактом фотоактивными полупроводниковыми слоями, со встроенным, соединяемым с передним контактом защитным диодом (шунтирующим диодом) с противоположной солнечному элементу полярностью и проходящим на передней стороне p-проводящим полупроводниковым слоем, на котором проходит туннельный диод, отличающийся тем, что на туннельном диоде (38) проходит n-проводящий слой (46), через который защитный диод (32) соединен или может быть соединен с передним контактом (14).2. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что защитный диод (32) состоит из проходящего на стороне солнечного элемента n-проводящего слоя (34) и проходящего на передней стороне p-проводящего слоя (36), которые предпочтительно состоят соответственно из GaInS или GaInP.3. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что p-проводящий слой (42) туннельного диода (38) состоит из AlGaAs, такого как AlGaAs, предпочтительно - с 0,0 ≤ y ≤ 0,6.4. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что n-проводящий слой (44) туннельного диода (38) состоит из GaInAs, такого как GaInAs, предпочтительно - с 0,01 ≤ x ≤ 0,03, или из GaAs, или из InGaP.5. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что солнечный элемент (10) представляет собой каскадный или многопереходный солнечный элемент с n солнечными элементами-компонентами при n ≥ 2, в частности в виде тройного элемента с расположенными друг на друге первым, вторым и третьим солнечными элементами-компонентами (16, 28) n-p-типа.6. Солнечный элемент по п.5, отличающийся тем, что фотоактивные слои первого элемента-компонента или нижнего элемента (16) состоят из германия.7. Солнечный элемент по п.5, отличающийся тем, что фотоактивные слои |
