多级闪存的部分页编程

摘要

本发明揭露出一种用于多级单元闪存装置的部分页编程的方法与装置。在一多级单元闪存中，新部分页编程信息可被存取(510)。先前储存在存储器中的信息可被存取(520)。新的与先前的信息可结合于一闪存装置的一页缓冲器中(530)。可选择地，新的与先前的信息可结合于闪存装置外部的存储器中(530)。所结合的信息可用于编程闪存的单元(540)。标准的编程与确认方法可用于将结合的信息编程写入闪存的单元(540)。以此新的方式，部分页编程的优点可被实现，以用于多级单元闪存装置。

主权项

1.一种半导体装置，包含：多个闪存单元(100)，其中所述单元(100)具有超过两个的储存状态；以及其中所述单元(100)可从第一非擦除状态直接地编程到第二编程状态。