AlN－Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>－SiC陶瓷材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种AlN－Si₃N₄－SiC陶瓷材料的制备方法。它包括以下步骤：将Al粉、Si粉和SiC颗粒按质量比为1～5∶1～7∶3～7配制原料；将配制好的原料加入无水乙醇后球磨；将球磨好的粉料在空气中静置经固液分离后在60～80℃温度下干燥；将干燥后的粉料研磨细化；在研磨过的粉料中加入粘结剂，然后通过搅拌进行造粒；将经过造粒的混合粉料压制成型；将压制成型后的料坯再次在100～120℃温度下进行干燥；将干燥过的料坯进行预氮化，预氮化后的陶瓷坯体进行氮化反应烧结得到AlN－Si₃N₄－SiC陶瓷材料。本发明的优点是：制备的AlN－Si₃N₄－SiC陶瓷材料，简化了材料的制备工艺，降低了材料的制备成本；与Si₃N₄结合SiC陶瓷材料相比其力学性能有了大幅度的提高，显著降低了烧结温度，综合使用性能更好。

主权项

1、一种AlN-Si3N4-SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1.1将Al粉、Si粉和SiC颗粒按质量比为1～5∶1～7∶3～7配制原料；1.2将配制好的原料加入无水乙醇，在球磨罐中球磨；1.3将球磨好的粉料在空气中静置经固液分离后放入干燥箱中干燥，在60～80℃温度下干燥；1.4将干燥后的粉料研磨细化；1.5在研磨过的粉料中加入粘结剂，然后通过搅拌进行造粒；1.6经过造粒的混合粉料压制成型；1.7将压制成型后的料坯再次在100～120℃温度下进行干燥；1.8将干燥过的料坯进行预氮化，预氮化后的陶瓷坯体进行氮化反应烧结得到AlN-Si3N4-SiC陶瓷材料。