Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit einer Ladungseinfangschicht und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Eine nichtflüchtige Speichervorrichtung umfasst ein Substrat, eine Tunnelschicht über dem Substrat, eine Ladungseinfangschicht, die eine stöchiometrische Siliziumnitridschicht und eine siliziumreiche Siliziumnitridschicht über der Tunnelschicht umfasst, eine Sperrschicht über der Ladungseinfangschicht und eine Steuer-Gate-Elektrode über der Sperrschicht.