WIDE BAND GAP TRANSISTORS ON NON-NATIVE SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

摘要

반도체 기판 상에 GaN 트랜지스터를 형성하는 기법들이 개시된다. 절연 층이 반도체 기판의 상부 상에 형성된다. Ⅲ-Ⅴ족 반도체 재료를 포함하는 트렌치 재료로 채워진 트렌치가 절연 층을 통해 형성되고, 반도체 기판 내로 연장된다. 트렌치 재료보다 낮은 결함 밀도를 갖는 Ⅲ-Ⅴ족 재료를 포함하는 채널 구조체가 트렌치에 인접하여 절연 층의 상부 상에 바로 형성된다. 소스 및 드레인이 채널 구조체의 반대측들 상에 형성되고, 게이트가 채널 구조체 상에 형성된다. 반도체 기판은 GaN 트랜지스터들 및 다른 트랜지스터들 모두가 형성될 수 있는 평면을 형성한다.