| 摘要 |
본원은 집적 회로용 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은, 기판 상에 제1 층을 형성하는 단계를 포함하는데, 제1 층의 에칭률은 방사선, 예컨대 극자외(EUV) 방사선 또는 전자 빔(e-빔) 등에 대해 민감하다. 이 방법은, 제1 층 상에 레지스트층을 형성하는 단계와, 패터닝용 방사선에 레지스트층을 노출시키는 단계를 더 포함한다. 노출 동안에, 제1 층의 여러 부분은, 받게 되는 방사선의 에너지량에 따라 그 에칭률이 변화한다. 이 방법은, 레지스트층을 현상하는 단계, 제1 층을 에칭하는 단계, 및 패턴을 형성하도록 기판을 에칭하는 단계를 더 포함한다. 제1 층의 방사선 민감도는 패턴의 임계 치수 편차를 줄이는 역할을 한다. |
