| 主权项 |
1.一种发光二极体灯具，包括：一铝载板；一缓冲基板(buffer substrate)，设置于该铝载板上，该缓冲基板之线膨胀系数(CTE)系小于20×10-6/K；至少一发光二极体晶片，设置于该缓冲基板上；一金属层结构，形成于该铝载板之下表面，该金属层结构系由可焊接材料(solderable material)所构成；以及一散热片，透过一焊料(solder material)层，连接至该金属层结构。2.如申请专利范围第1项之发光二极体灯具，更包括一透明胶结构，覆盖该发光二极体晶片。3.如申请专利范围第1项之发光二极体灯具，其中，该金属层结构系以电镀方式形成于该铝载板之下表面。4.如申请专利范围第1项之发光二极体灯具，其中，该金属层结构系由复数金属层堆叠而成。5.如申请专利范围第1项之发光二极体灯具，其中，该金属层结构之厚度系大于0.08微米。6.如申请专利范围第1项之发光二极体灯具，其中，该铝载板之下表面系一经过喷砂处理之粗糙表面。7.如申请专利范围第1项之发光二极体灯具，其中，该散热片连接至该金属层结构之表面系一经过喷砂处理之粗糙表面。8.如申请专利范围第1项之发光二极体灯具，其中，该可焊接材料系由金、锡、镍、钛、银或铜所构成。9.如申请专利范围第1项之发光二极体灯具，其中，该发光二极体晶片之数量大于二。10.如申请专利范围第1项之发光二极体灯具，其中，该铝载板上具有一凹杯，该缓冲基板系设置于该凹杯底面。11.一种发光二极体灯具之发光二极体封装结构，包括：一铝载板；一缓冲基板，设置于该铝载板上，该缓冲基板之线膨胀系数(CTE)系小于20×10-6/K；至少一发光二极体晶片，设置于该缓冲基板上；以及一金属层结构，形成于该铝载板之下表面，该金属层结构系由一可焊接材料(solderable material)所构成，用以将一散热片焊接至该铝载板。12.如申请专利范围第11项之发光二极体灯具之发光二极体封装结构，其中，该金属层结构系以电镀方式形成于该铝载板之下表面。13.如申请专利范围第11项之发光二极体灯具之发光二极体封装结构，其中，该金属层结构系由复数金属层堆叠而成。14.如申请专利范围第11项之发光二极体灯具之发光二极体封装结构，其中，该金属层结构之厚度系大于0.08微米。15.如申请专利范围第11项之发光二极体灯具之发光二极体封装结构，其中，该铝载板之下表面系一经过喷砂处理之粗糙表面。16.如申请专利范围第11项之发光二极体灯具之发光二极体封装结构，其中，该可焊接材料系由金、锡、镍、钛、银或铜所构成。17.如申请专利范围第11项之发光二极体灯具之发光二极体封装结构，其中，该发光二极体晶片之数量大于二。18.如申请专利范围第11项之发光二极体灯具之发光二极体封装结构，其中，该铝载板上具有一凹杯，该缓冲基板系设置于该凹杯底面。图式简单说明：第一与一A图系一传统发光二极体灯具之剖面示意图；第二与二A图系本创作发光二极体灯具第一较佳实施例之剖面示意图；第三图系第二图之金属层结构一较佳实施例之剖面示意图；第四图系本创作发光二极体灯具第二较佳实施例之剖面示意图；第五图系本创作发光二极体灯具第三较佳实施例之剖面示意图；第六图系本创作发光二极体灯具第四较佳实施例之剖面示意图；以及第七图系本创作发光二极体灯具第五较佳实施例之剖面示意图。 |
