发明名称 基于钨铱合金的浸渍钡钨阴极及制备方法
摘要 一种基于钨铱合金的浸渍钡钨阴极,其组成为重量比10-30%铱粉和70-90%钨粉,其孔隙中浸渍有铝酸盐。其制备方法是:将钨粉和铱粉分别放入1000-1500℃氢炉内退火;按重量比取10-30%铱粉,余量为钨粉,将该两种材料研磨混匀。用内有钼筒的压模将混合物压制成平顶阴极体;阴极体放入氢炉,当温度达到1500-2000℃时,保温1-10小时;置于铝酸盐粉末中,氢气气氛中,1500-2000℃浸渍1-10分钟,浸渍后的浮盐用钨丝棉团清除;安装热子,制得基于钨铱合金的浸渍钡钨阴极。
申请公布号 CN1298006C 申请公布日期 2007.01.31
申请号 CN03123137.3 申请日期 2003.04.17
申请人 中国科学院电子学研究所 发明人 张红卫;丁耀根;白振纲
分类号 H01J1/14(2006.01);H01J9/02(2006.01) 主分类号 H01J1/14(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周长兴
主权项 1、一种制备基于钨铱合金的浸渍钡钨阴极的方法,其主要步骤为:a)将钨粉和铱粉分别放入1000-1500℃氢炉内退火;b)按重量比取10-30%铱粉,余量为钨粉,将该两种材料研磨混匀,用内有钼筒的压模将混合物压制成平顶阴极体;c)将步骤b制备的阴极体放入氢炉,当温度达到1500-2000℃时,保温1-10小时;d)将步骤c制得的阴极体置于铝酸盐粉末中,氢气气氛中,1500-2000℃浸渍1-10分钟,浸渍后的浮盐用钨丝棉团清除;e)安装热子。
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