发明名称 | 一种具有共平面电极表面之记忆胞装置及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明系揭露一种包含具有一顶表面及复数个介层孔的位元线之记忆装置。该装置包含复数个第一电极,而每一第一电极具有与该位元线之该顶表面共平面之顶表面,该第一电极延伸穿过在该位元线内对应的介层孔。一绝缘构件系在每一介层孔之内,以及其为具有一厚度之一环形,而该绝缘构件系介于该对应的第一电极与做为一第二电极之该位元线的一部位之间。一层记忆材料延伸穿过该绝缘构件以接触该位元线及该第一电极之该顶表面。 | ||
申请公布号 | TW200834912 | 申请公布日期 | 2008.08.16 |
申请号 | TW097104018 | 申请日期 | 2008.02.01 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |