发明名称 |
双层布线双极型器件制造工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种双层布线双极型器件制造工艺,其中进行基区推进时温度为950℃~1000℃,基区推进的时间为100分钟;进行发射区推进时温度为950℃~1000℃,发射区推进的时间为30~60分钟;采用大剂量注入的砷(As)离子作为发射区,注入的剂量不低于1E15,注入离子的能量为20~80KeV。本发明的制造工艺能制造的器件的最小开孔尺寸为1.5×1.5μm,这样大大缩小了芯片尺寸。且其基区结深为0.7μm,发射区结深为0.4μm,这样可制成的高频器件,用于高频场合。 |
申请公布号 |
CN100367477C |
申请公布日期 |
2008.02.06 |
申请号 |
CN200410018261.2 |
申请日期 |
2004.05.12 |
申请人 |
上海先进半导体制造有限公司 |
发明人 |
詹佳文;陈惠明 |
分类号 |
H01L21/328(2006.01);H01L21/8222(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/328(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
1.一种双层布线双极型器件制造工艺,其特征在于:进行基区推进时温度为950℃~1000℃,基区推进的时间为100分钟;进行发射区推进时温度为950℃~1000℃,发射区推进的时间为30~60分钟;采用大剂量注入的砷离子作为发射区,注入的剂量不低于1E15,注入离子的能量为20~80KeV。 |
地址 |
200233上海市虹漕路385号 |