| 发明名称 | 一种SGOI结构的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种SGOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面外延生长一单晶SiGe层；S2：在所述单晶SiGe层表面形成一Si帽层；S3：从所述Si帽层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S4：将步骤S3获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、预设Ge浓度SiGe层及SiO<sub>2</sub>层的叠层结构；S5：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO<sub>2</sub>层以得到SGOI结构。本发明结合离子注入技术和锗浓缩工艺制备高质量高Ge浓度的SGOI结构，离子注入减弱了顶层硅与所述SiGe层之间的晶格失配，且伴随退火过程的进行，位错环在纵向方向上相互作用并相互抵消，使应力得到释放，从而使最终获得的SGOI结构中穿透位错密度大大降低。 | ||
| 申请公布号 | CN103646910B | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201310724465.7 | 申请日期 | 2013.12.24 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张苗;陈达;狄增峰;薛忠营;王刚;母志强;叶林 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种SGOI结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底，在所述顶层硅表面外延生长一单晶SiGe层；S2：在所述单晶SiGe层表面形成一Si帽层；S3：从所述Si帽层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中，离子注入剂量小于2E16cm<sup>‑2</sup>；S4：将步骤S3获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、预设Ge浓度SiGe层及SiO<sub>2</sub>层的叠层结构；S5：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO<sub>2</sub>层以得到SGOI结构。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||