发明名称 銅の相互接続体のための窒化コバルト層及びそれらを形成する方法
摘要 The application discloses CVD of thin films employing amidinate complexes of the metals lithium, sodium, potassium, beryllium, calcium, strontium, barium, scandium, yttrium, lanthanum and the other lanthanide metals, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, molybdenum, tungsten, manganese, rhenium, iron, ruthenium, cobalt, rhodium, nickel, palladium, silver, Zinc, cadmium, tin, lead, antimony and bismuth as precursor. A novel cobalt precursor is also disclosed.
申请公布号 JP6009419(B2) 申请公布日期 2016.10.19
申请号 JP20130167694 申请日期 2013.08.12
申请人 プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ 发明人 ゴードン,ロイ ジェラルド;バンダリ,ハリシュ ビー.;キム,フン
分类号 H01L21/3205;C07C257/14;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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