バンドギャップ変動型の光起電セル

摘要

モノリシック光起電セルが提案される。前記セルは、少なくとも１つの接合部を含む。前記少なくとも１つの接合部の各接合部は、第１の導電型のドープされた半導体材料によって形成されるベースと、第１の導電型とは反対の第２の導電型のドープされた半導体材料によって形成されるエミッタとを含む。前記エミッタは、第１の方向に従ってベース上に積層される。前記少なくとも１つの接合部のうちの少なくとも１つの接合部のベースの、および／またはエミッタの半導体材料は、少なくとも１つの第１の元素と、第２の元素との化合物によって形成される半導体材料である。ベースの、および／またはエミッタの前記半導体材料のバンドギャップおよび格子定数は、前記第２の元素に対する前記化合物における前記第１の元素の濃度に依存する。第２の元素に対する前記化合物における第１の元素の前記濃度は、前記第１の方向に沿って均一でなく、前記ベースおよび／またはエミッタの下位部分で第１の値に等しく、前記ベースおよび／またはエミッタの上位部分で第１の値未満の第２の値に等しい。前記上位部分は、第１の方向に従って前記下位部分の上側にある。