| 发明名称 | 半导体结构以及制备半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底是由金属形成的；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成第一氮化物半导体层，以便获得所述半导体结构，所述第一氮化物半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并在金属衬底上获得具有晶体择优取向的氮化物半导体结构。具有晶体择优取向的氮化物半导体层有利于诱导后续在其上形成的其他氮化物结构，使其也具有晶体择优取向。 | ||
| 申请公布号 | CN106057640A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610366289.8 | 申请日期 | 2016.05.27 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 肖磊;王子巍;王敬;梁仁荣 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 李志东 |
| 主权项 | 一种制备半导体结构的方法，其特征在于，包括：(1)提供衬底，所述衬底是由金属形成的；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成第一氮化物半导体层，以便获得所述半导体结构，所述第一氮化物半导体层具有晶体择优取向。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||