| 发明名称 | 用于减少背侧硅损坏的结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN106082108A | 申请公布日期 | 2016.11.09 |
| 申请号 | CN201510736299.1 | 申请日期 | 2015.11.03 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 周仲彥;詹志仁;蔡嘉雄;李汝谅;谢元智 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种形成IC(集成电路)器件的方法，所述方法包括：接收第一晶圆，所述第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在所述第一晶圆的上表面上的等离子体反射层，其中，所述等离子体反射层配置为从所述等离子体反射层反射等离子体；在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，所述第二晶圆包括第二衬底；将所述第二晶圆接合至所述第一晶圆，从而当所述第一晶圆和所述第二晶圆接合在一起时，在所述等离子体反射层和所述介电保护层之间形成腔体；以及利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从所述第二晶圆的上表面延伸并且穿过所述介电保护层进入所述腔体内的开口。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||