| 主权项 |
1.一种包括下式之水溶性或水可分散性聚合物之组合物，其中之E为烯属不饱和化合物聚合后留下之重复单元；R1为H或低碳(C1-C4)烷基，G为-CH2-或-CHCH3-，R2为-(CH2-CH2-O)-n或-(CH2-CHCH3-O)-m；其中n及m在1至100之间；X为SO3、PO3、或COO；Z为H、氢或水溶性阳离子部位；F为下式之重复单元：其中R4为H或低碳(C1-C4)烷基，R5为具有1至6个碳原子之羟基取代烷基或伸烷基；其中c:d:e之比例在20:10:1至1:1:20之间，或e为零，且c:d之比在30:1至1:20之间。2.如申请专利范围第1项之组合物，其中该烯属不饱和化合物为羧酸、磺酸、膦酸或其醯胺形式之一种或多种，或其混合物。3.如申请专利范围第2项之组合物，其中该烯属不饱和化合物为丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N-异丙基丙烯醯胺、马来酸及酸酐、富马酸、衣康酸、苯乙烯磺酸、乙烯基磺酸、异丙烯基磷酸、乙烯基磷酸、亚乙烯基二膦酸、2-丙烯基醯胺基-2-甲基丙烷磺酸之一种或多种或其混合物。4.如申请专利范围第1项之组合物，其中该水溶性阳离子部位系选自Na、K、Ca及NH4之群。5.如申请专利范围第1项之组合物，其中之分子量Mw在1,000至1,000,000之间。6.如申请专利范围第1项之组合物，其中之分子量Mw在1,000至50,000之间。7.如申请专利范围第1项之组合物，其中之分子量Mw在1,500至25,000之间。8.如申请专利范围第1项之组合物，其中n大于10。9.一种包括下式之水溶性或水可分散性聚合物之组合物，其中n在1至100之间，且Z为氢或水溶性阳离子；其中c:d之比在30:1至1:20之间。10.如申请专利范围第9项之组合物，其中该水溶性阳离子部位系选自由Na、K、Ca及NH4及其混合物所组成之群。11.如申请专利范围第9项之组合物，其中之分子量Mw在1,000至1,000,000之间。12.如申请专利范围第9项之组合物，其中之分子量Mw在1,000至50,000之间。13.如申请专利范围第9项之组合物，其中之分子量Mw在1,000至25,000之间。14.如申请专利范围第9项之组合物，其中n大于10。15.一种包括下式之水溶性或水可分散性聚合物之组合物，其中n在1至100之间，且Z为氢或水溶性阳离子；其中c:d:e之比在20:10:1至1:1:20之间。16.如申请专利范围第15项之组合物，其中该水溶性阳离子部位系选自由Na、K、Ca及NH4及其混合物所组成之群。17.如申请专利范围第15项之组合物，其中之分子量Mw在1,000至1,000,000之间。18.如申请专利范围第15项之组合物，其中之分子量Mw在1,000至50,000之间。19.如申请专利范围第15项之组合物，其中之分子量Mw在1,000至25,000之间。20.如申请专利范围第15项之组合物，其中n大于10。21.一种抑制暴露于含水系统之表面上形成且沉积产生积垢物种之方法，包括将有效量可达该目的之下式水溶性或水可分散性聚合物添加于该含水性统中：其中之E为烯属不饱和化合物聚合后留下之重复单元；R1为H或低碳(C1-C4)烷基，G为-CH2-或-CHCH3-；R2为其中n及m在1至100之间；X为SO3、PO3、或COO；Z为H、氢或水溶性阳离子部位；F为下式之重复单元：其中R4为H或低碳(C1-C4)烷基，R5为具有1至6个碳原子之羟基取代烷基或伸烷基；；其中c:d:e之比例在20:10:1至1:1:20之间，或e为零，且c:d之比在30:1至1:20之间；其中该聚合物系以0.1 ppm至500 ppm之量添加于该含水系统中。22.如申请专利范围第21项之方法，其中该烯属不饱和化合物为羧酸、磺酸、膦酸或其醯胺形式之一种或多种，或其混合物。23.如申请专利范围第22项之方法，其中该烯属不饱和化合物为丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、N-甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、N-异丙基丙烯醯胺、马来酸及酸酐、富马酸、衣康酸、苯乙烯磺酸、乙烯基磺酸、异丙烯基磷酸、乙烯基磷酸、亚乙烯基二膦酸、2-丙烯基醯胺基-2-甲基丙烷磺酸之一种或多种或其混合物。24.如申请专利范围第21项之方法，其中该水溶性阳离子部位系选自Na、K、Ca及NH4之群。25.如申请专利范围第21项之方法，其中之分子量Mw在1,000至1,000,000之间。26.如申请专利范围第21项之方法，其中之分子量Mw在1,000至50,000之间。27.如申请专利范围第21项之方法，其中之分子量Mw在1,500至25,000之间。28.如申请专利范围第21项之方法，其中n大于10。29.如申请专利范围第21项之方法，其中该聚合物系以1 ppm至100 ppm之量添加于该含水系统中。30.如申请专利范围第21项之方法，其中该含水系统为蒸气产生系统。31.如申请专利范围第21项之方法，其中该含水系统为冷却水系统。32.如申请专利范围第21项之方法，其中该含水系统为气体洗涤系统。33.如申请专利范围第21项之方法，其中该水溶性或水分散性聚合物系与至少一种或多种拔顶剂并用。34.一种抑制暴露于含水系统之表面上形成且沉积产生积垢物种之方法，包括将有效量可达该目的之下式之水溶性或水可分散性聚合物添加于该含水系统中：其中n在1至100之间，且Z为氢或水溶性阳离子，其中c:d之比在30:1至1:20之间；其中该聚合物系以0.1 ppm至500 ppm之量添加于该含水系统中。35.如申请专利范围第34项之方法，其中该水溶性阳离子部位系选自由Na、K、Ca及NH4及其混合物所组成之群。36.如申请专利范围第34项之方法，其中之分子量Mw在1,000至1,000,000之间。37.如申请专利范围第34项之方法，其中之分子量Mw在1,000至50,000之间。38.如申请专利范围第34项之方法，其中之分子量Mw在1,000至25,000之间。39.如申请专利范围第34项之方法，其中n大于10。40.如申请专利范围第34项之方法，其中该聚合物系以1 ppm至100 ppm之量添加于该含水系统中。41.如申请专利范围第34项之方法，其中该含水系统为蒸气产生系统。42.如申请专利范围第34项之方法，其中该含水系统为冷却水系统。43.如申请专利范围第34项之方法，其中该含水系统为气体洗涤系统。44.如申请专利范围第34项之方法，其中该水溶性或水分散性聚合物系与至少一种或多种拔顶剂并用。45.一种抑制暴露于含水系统之表面上形成且沉积产生积垢物种之方法，包括将有效量可达该目的之下式水溶性或水可分散性聚合物添加于该含水系统中其中n在1至100之间，且Z为氢或水溶性阳离子；其中c:d:e之比在20:10:1至1:1:20之间；其中该聚合物系以0.1 ppm至500 ppm之量添加于该含水系统中。46.如申请专利范围第45项之方法，其中该水溶性阳离子部位系选自由Na、K、Ca及NH4及其混合物所组成之群。47.如申请专利范围第45项之方法，其中该聚合物系以1 ppm至100 ppm之量添加于该含水系统中。48.如申请专利范围第45项之方法，其中该含水系统为蒸气产生系统。49.如申请专利范围第45项之方法，其中该含水系统为冷却水系统。50.如申请专利范围第45项之方法，其中该含水系统为气体洗涤系统。51.如申请专利范围第45项之方法，其中之分子量Mw在1,000至1,000,000之间。52.如申请专利范围第45项之方法，其中之分子量Mw在1,000至50,000之间。53.如申请专利范围第45项之方法，其中之分子量Mw在1,000至25,000之间。54.如申请专利范围第45项之方法，其中n大于10。55.如申请专利范围第45项之方法，其中该水溶性或水分散性聚合物系与至少一种或多种拔顶剂并用。 |
