CIRCUIT ASSEMBLY WITH AT LEAST ONE NANOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

摘要

Mindestens ein CMOS-Bauelement, das in einem Halbleitersubstrat (S) angeordnet ist, ist Teil der Schaltungsanordnung. Auf dem Halbleitersubstrat (S) ist eine isolierende Schicht (1, 2) angeordnet, die das CMOS-Bauelement bedeckt. Über der isolierenden Schicht (1, 2) ist das nanoelektronische Bauelement angeordnet. Mindestens eine leitende Struktur ist in der isolierenden Schicht (1, 2) angeordnet und dient der Verbindung des nanoelektronischen Bauelements mit dem CMOS-Bauelement. Sind mehrere nanoelektronische Bauelemente vorgesehen, werden sie vorzugsweise zu Nano-Schaltblöcken (N) gruppiert, wobei die Nano-Schaltblöcke (N) jeweils so klein sind, dass RC-Zeiten ihrer Leitungen (B) nicht grösser als 1 ns sind.