光近接效应修正方法、光近接效应修正装置、光近接效应修正程式、半导体装置之制造方法、图案设计规约决定方法及光近接效应修正条件算出方法

摘要

本发明提供一种光近接效应修正，其能够获得所需之电特性，并且与先前相比可减轻计算负荷。本发明之光近接效应修正装置具备：机械11，其系自形成于晶圆上之电晶体闸极的图案形状中提取该闸极之闸极长度分布，以指定该闸极之电特性；机构12，其系求出可获得与经指定之电特性等效之电特性的矩形闸极之闸极长度；机构15，其系算出指定上述闸极长度分布之统计值与上述矩形闸极之闸极长度之对应关系之修正系数；及机构16，其系提取藉由转印设计图案而形成于晶圆上之电晶体闸极的闸极长度分布，并且利用上述修正系数，自该闸极长度分布之统计值算出闸极长度分布代表值，继而以使该闸极长度分布代表值达到规格值之方式，对上述设计图案进行图案修正。