| 发明名称 | 用于多个半导体衬底的高压处理室 | ||
| 摘要 | 一种用于处理多个半导体衬底的高压处理室，该处理室包含室外壳、匣和封闭物。匣可拆卸地连接在室外壳上。该匣构成为至少容纳两个半导体衬底。封闭物连接在室外壳上。构成封闭物使得在操作中，封闭物与室外壳密封在一起，从而为半导体衬底的高压处理提供封闭室。 | ||
| 申请公布号 | CN1599807A | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN02819644.9 | 申请日期 | 2002.10.03 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | M·A·比伯格;F·P·莱曼 |
| 分类号 | C23C16/00;H01L21/00 | 主分类号 | C23C16/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 蔡民军 |
| 主权项 | 1、一种用于处理多个半导体衬底的高压处理室，该处理室包含：a.室外壳；b.可拆卸地连接在室外壳上的第一匣，并且该匣构成为至少容纳两个半导体衬底；c.连接在室外壳上的封闭物，封闭物被构成为在操作中将室外壳密封，从而为半导体衬底的高压处理提供封闭室。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||