发明名称 |
基于串行高级技术结构接口的半导体存储装置 |
摘要 |
本发明公开一种基于串行ATA总线的数据存储装置,包括数据存储单元,所数据存储单元由至少一半导体存储芯片构成,用于数据存储;一个与S-ATA定义的总线连接的S-ATA接口连接器,提供所述数据存储装置数据输入输出的端口,将数据发送到S-ATA定义的总线和从S-ATA总线接收数据;以及一个S-ATA存储控制器,提供数据存储单元与S-ATA接口连接器之间的数据连接,执行输入所述数据存储装置的操作指令,对数据存储单元进行数据操作。本发明数据存储装置的有益效果是:首先,由于本发明的数据存储装置的存储介质采用快闪存储模块,因而具有抗振性,具有体积小、能耗低、无噪音;读写速度快,且支持热插拔。 |
申请公布号 |
CN1635577A |
申请公布日期 |
2005.07.06 |
申请号 |
CN200310117713.8 |
申请日期 |
2003.12.31 |
申请人 |
深圳市朗科科技有限公司 |
发明人 |
成晓华 |
分类号 |
G11C7/10;G06F3/06 |
主分类号 |
G11C7/10 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种半导体存储装置,包括:一数据存储单元,所述数据存储单元由至少一半导体存储芯片构成,用于数据存储;一个与S-ATA定义的总线连接的S-ATA接口连接器,提供数据发送到S-ATA定义的总线和从S-ATA总线接收数据的接口;以及一个S-ATA存储控制器,提供数据存储单元与S-ATA接口连接器之间的数据连接,执行输入所述数据存储装置的操作指令,对数据存储单元进行数据操作。 |
地址 |
518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 |