发明名称 基于串行高级技术结构接口的半导体存储装置
摘要 本发明公开一种基于串行ATA总线的数据存储装置,包括数据存储单元,所数据存储单元由至少一半导体存储芯片构成,用于数据存储;一个与S-ATA定义的总线连接的S-ATA接口连接器,提供所述数据存储装置数据输入输出的端口,将数据发送到S-ATA定义的总线和从S-ATA总线接收数据;以及一个S-ATA存储控制器,提供数据存储单元与S-ATA接口连接器之间的数据连接,执行输入所述数据存储装置的操作指令,对数据存储单元进行数据操作。本发明数据存储装置的有益效果是:首先,由于本发明的数据存储装置的存储介质采用快闪存储模块,因而具有抗振性,具有体积小、能耗低、无噪音;读写速度快,且支持热插拔。
申请公布号 CN1635577A 申请公布日期 2005.07.06
申请号 CN200310117713.8 申请日期 2003.12.31
申请人 深圳市朗科科技有限公司 发明人 成晓华
分类号 G11C7/10;G06F3/06 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人
主权项 1.一种半导体存储装置,包括:一数据存储单元,所述数据存储单元由至少一半导体存储芯片构成,用于数据存储;一个与S-ATA定义的总线连接的S-ATA接口连接器,提供数据发送到S-ATA定义的总线和从S-ATA总线接收数据的接口;以及一个S-ATA存储控制器,提供数据存储单元与S-ATA接口连接器之间的数据连接,执行输入所述数据存储装置的操作指令,对数据存储单元进行数据操作。
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