带有氧化层隔离物的DRAM结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种用于形成用于如DRAM的动态随机访问器件的位线和存储节点部分的方法，包括：提供具有位线区和电容器接触区的衬底；至少形成上覆衬底的包括覆盖层的第一栅极结构和第二栅极结构；形成上覆的共形介电层；形成并平坦化层间电介质材料；形成掩模层，露出被平坦化的层间电介质材料的一部分内的连续公共区。进行刻蚀，去除被平坦化的层间介电层的露出部分、位线区上的共形介电层和共形介电层的一部分，用共形层的其他部分作为掩模。该方法在连续公共区内沉积多晶硅填充材料，并上覆位线区、电容器接触区、第一和第二栅极结构，以预定厚度覆盖位线区、电容器接触区、第一和第二栅极结构的一部分。

主权项

1.一种用于形成用于动态随机访问存储器器件的位线和存储节点部分的方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底具有位线区和电容器接触区；至少形成上覆衬底的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构包括上覆的第一覆盖层，所述第二栅极结构包括上覆的第二覆盖层，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构由所述位线区隔开，所述电容器接触区被耦合到第一栅极结构；形成上覆第一栅极结构、第二栅极结构、位线区和电容器接触区的共形介电层；形成上覆共形介电层的层间电介质材料；平坦化层间电介质材料；形成上覆被平坦化的层间电介质材料的掩模层；露出在被平坦化的层间电介质材料的一部分之内的连续公共区，其上覆第一栅极结构的一部分、第二栅极结构的一部分、位线区的一部分和电容器接触区的一部分；进行第一刻蚀处理，以去除被平坦化的层间介电层的露出部分；进行第二刻蚀处理，以去除位线区上的共形介电层，并去除电容器接触区上的共形介电层的一部分，而使用共形层的其他部分作为掩模来防止第一栅极结构的一部分和第二栅极结构的一部分露出；在连续公共区内沉积多晶硅填充材料，并上覆位线区、电容器接触区、第一栅极结构和第二栅极结构，以覆盖位线区、电容器接触区、第一栅极结构和第二栅极结构的一部分到预定的厚度；平坦化多晶硅填充材料，以减少预定厚度，同时减少层间电介质材料的一部分的厚度；继续平坦化多晶硅填充材料和层间电介质材料；以及露出第一栅极结构的一部分、第二栅极结构的一部分，而保留在位线区的一部分和电容器接触区的一部分上的多晶硅填充材料部分，其中，在电容器接触区的一部分上的多晶硅填充材料与在位线区的一部分上的多晶硅填充材料是隔开的。