发明名称 |
可编程电阻存储器及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种集成电路非易失性存储器,其使用可编程电阻元件。在某些实施例中,准备如电极等的导电结构,且可编程电阻元件位于这些预先准备的电极之上。此种方式防止了可编程电阻元件受到先前工艺步骤的污染。 |
申请公布号 |
CN101000892A |
申请公布日期 |
2007.07.18 |
申请号 |
CN200710001813.2 |
申请日期 |
2007.01.05 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
何家骅 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L23/522(2006.01);G11C13/00(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
韩宏 |
主权项 |
1.一种形成具有非易失性存储单元集成电路的方法,包括:形成用以存取特定非易失性存储单元的电路,包括:形成导电行以沿着各行存取该非易失性存储单元;以及形成导电列以沿着各列存取该非易失性存储单元;以及接着形成所述非易失性存储单元的可编程电阻元件,以利用每个所述导电行与导电列而电连接每个该可编程电阻元件。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |