| 摘要 |
본 개시는, 프로세싱되는 기판의 엣지 또는 주위 근방의 플라즈마 밀도를 제어하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템과 관련된다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 기판을 수용하고 프로세싱할 수 있는 플라즈마 챔버를 포함할 수 있고, 기판을 에칭하기 위해 플라즈마를 사용하고, 기판을 도핑하고, 또는 기판 상에 필름을 퇴적한다. 본 개시는 기판을 둘러싸는 포커스 링 전극과 바이어스 전극의 맞은편이 될 수 있는 파워 전극을 포함할 수 있는 플라즈마 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 일 실시형태에서 파워 전극은 직류(DC) 소스에 연결될 수 있다. 바이어스 전극에 인가되는 파워는 기판으로 이온을 견인하기(draw) 위해 사용될 수 있다. 기판 및/또는 바이어스 전극 주위에 배치되는 포커스 링에 포커스 링 전압을 인가함으로써 플라즈마 밀도가 더 균일하게 만들어질 수 있다. |
