一种大尺寸磷酸二氢钾晶体材料生长的控制方法

摘要

本发明涉及一种大尺寸磷酸二氢钾晶体材料生长的控制方法，该方法包括以下步骤：(1)配置饱和度为59％～60％的磷酸二氢钾饱和溶液；(2)将上述饱和溶液过滤后输送到结晶罐内，结晶罐保温处理；(3)制备籽晶；(4)注晶：(5)将磷酸二氢钾溶液的温度降至54℃～55℃；(6)在晶体生长的10～15天，按照0.05℃/天的速度降温；在晶体生长的23～25天，按照0.1℃/天的速度降温；在晶体生长的30～35天，按照0.15℃/天的速度降温；在上述温度下，继续生长；本发明方法能提高KDP晶体的生长速度(生长3天达30mm，10天250mm，20天400mm)，缩短生长周期，不仅能获得较大尺寸(580mm×450mm×670mm)，还能有效提高晶体的质量。

主权项

一种大尺寸磷酸二氢钾晶体材料生长的控制方法，其特征在于包括以下步骤：(1)按溶解度曲线计算出水量和KDP原料的投放量，配置饱和度为59％～60％的磷酸二氢钾饱和溶液；(2)将上述饱和溶液过滤后输送到结晶罐内，结晶罐保温处理；(3)制备籽晶；(4)注晶：1)将磷酸二氢钾溶液的温度降至65℃；2)对制备的籽晶进行预热；3)对注晶杆进行预热4)注晶杆抽出的管壁洗涤干净；5)注晶；(5)将磷酸二氢钾溶液的温度降至54℃～55℃；(6)生长过程降温：1)在晶体生长的10～15天，按照0.05℃/天的速度降温；2)在晶体生长的23～25天，按照0.1℃/天的速度降温；3)在晶体生长的30～35天，按照0.15℃/天的速度降温；4)在上述温度下，继续生长。