发明名称 改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的装置
摘要 一种改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的装置,包括下磨盘、内齿轮、外齿轮和载体片,内齿轮外壁和外齿轮内壁为齿形壁,内齿轮外壁和外齿轮内壁之间的区域底部设有下磨盘。载体片水平状布置在下磨盘上,载体片经外轮廓上的齿件与内齿轮和外齿轮的齿形壁啮合;载体片上设有用于接纳被磨硅片的若干个放片孔,下磨盘内轮廓与内齿轮外壁之间留有一圈内空磨区,下磨盘外轮廓与外齿轮内壁之间留有一圈外空磨区;所述载体片的放片孔,每个放片孔的局部运动轨迹分别与内空磨区、外空磨区重叠。本装置对被磨硅片进行研磨作业,不但可以大大减少磨盘的修磨次数,还可以有效确保被磨硅片的平行度指标符合要求。
申请公布号 CN201177164Y 申请公布日期 2009.01.07
申请号 CN200820085030.7 申请日期 2008.04.02
申请人 万向硅峰电子股份有限公司 发明人 徐永忠;汪贵发;楼春兰;郑辉;赖建华
分类号 F17D5/02(2006.01) 主分类号 F17D5/02(2006.01)
代理机构 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) 代理人 应圣义
主权项 1、一种改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的装置,包括磨盘、内齿轮(5)、外齿轮(3)和载体片(1),内齿轮外壁(51)和外齿轮内壁(31)为齿形壁,内齿轮外壁(51)和外齿轮内壁(31)之间的区域底部设有下磨盘(4),多个圆形状的载体片(1)水平状布置在下磨盘(4)上,载体片(1)经外轮廓(12)上的齿件与内齿轮(5)和外齿轮(3)的齿形壁啮合;载体片(1)上设有用于接纳硅片(2)的若干个放片孔(11),其特征是:所述下磨盘(4)的下磨盘内轮廓(41)直径扩大后与内齿轮外壁(51)之间留有一圈内空磨区(52),所述下磨盘(4)的下磨盘外轮廓(42)直径缩小后与外齿轮内壁(31)之间留有一圈外空磨区(6);所述载体片(1)的放片孔(11),每个放片孔(11)的局部运动轨迹分别与内空磨区(52)、外空磨区(6)重叠。
地址 324300浙江省开化县芹南路27号