| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，具有：位于半导体元件上方的绝缘膜(10)、形成在绝缘膜(10)上的导电体焊盘(11)、和形成在导电体焊盘(11)上的第1开口图案(12)。这样，即使形成导电体焊盘(11)的导电体流动，导电体的流动性也会被第1开口图案(12)吸收。在导电体焊盘(11)为近似多角形的情况下，第1开口图案(12)优选形成在导电体焊盘(11)的各个角部的附近。在这种情况下，第1开口图案(12)也可以具有沿着形成角部的2个边而被配置的近似L字状的狭缝。从而，能够提供即使导电体从导电体焊盘的部向周边部流动，也能够抑制应力的产生的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN100456463C | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200610077173.9 | 申请日期 | 2006.04.27 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 进藤昭则 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，具有：位于半导体元件上或上方的绝缘膜；形成在所述绝缘膜上的导电体焊盘，所述导电体焊盘的平面形状为多角形，并且具有从所述导电体焊盘的中央向所述导电体焊盘的角部延伸的狭缝形状的开口图案；和保护膜，其形成在所述绝缘膜之上以及所述导电体焊盘之上，并且在所述导电体焊盘之上具有开口部，所述开口图案的第1部分中埋入有所述保护膜的一部分，所述开口图案的第2部分形成在所述保护膜的所述开口部内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||