| 发明名称 | 像素结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种像素结构，其包括一基板、一栅极、一介电层、一半导体层、多个半导体凸块、一源极、一漏极与一反射像素电极。其中，栅极配置于基板上，而介电层配置于基板上，并覆盖栅极。半导体层配置于栅极上方的介电层上，而半导体凸块配置于介电层上。源极与漏极配置于半导体层上。反射像素电极配置于介电层上，并覆盖半导体凸块，且反射像素电极与漏极电性连接。因此，此种像素结构具有较佳的可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN100456098C | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200610137381.3 | 申请日期 | 2006.10.20 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 李奕纬;朱庆云;黄资峰 |
| 分类号 | G02F1/1333(2006.01);G02F1/1343(2006.01) | 主分类号 | G02F1/1333(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 郭蔚 |
| 主权项 | 1.一种像素结构，包括：一基板；一栅极，配置于该基板上；一第一介电层，配置于该基板上，并覆盖该栅极；一半导体层，配置于该栅极上方的该第一介电层上；多个半导体凸块，配置于该第一介电层上；一源极与一漏极，配置于该半导体层上；以及一反射像素电极，配置于该第一介电层上，并覆盖该些半导体凸块，且该反射像素电极与该漏极电性连接。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 | ||