发明名称 プラズマ処理装置
摘要 複数の被処理物に対してプラズマによる表面処理を均一に行う。真空な処理室(14)内に、複数枚の基板(11)を収容したホルダー(21)がセットされる。ホルダー(21)と導入口(38)との間に互いに離間して配された第1及び第2電極(41,42)が配列されている。導入口(38)から放出されるプロセスガスを第1及び第2電極(41,42)で励起させてプラズマを発生させる。発生したプラズマは、ホルダ−(21)の側板(22)に設けた側面開口からホルダー(21)の内部に供給され、各基板(11)の表面の汚染物質を除去する。
申请公布号 JPWO2014030224(A1) 申请公布日期 2016.07.28
申请号 JP20140531421 申请日期 2012.08.22
申请人 株式会社JCU 发明人 佐波 正浩;上山 浩幸
分类号 H05H1/46;C23F4/00;C23G5/00;H01L21/304;H01L21/3065;H05K3/26 主分类号 H05H1/46
代理机构 代理人
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