| 发明名称 | 微纳米绒面太阳能电池的发射极、含有其的太阳能电池、及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种微纳米绒面太阳能电池发射极的制备方法，其特征在于，所述方法为：(1)对于去除损伤层后的硅片，在重掺杂扩散的同时，通入氧气形成磷硅玻璃层；(2)对步骤(1)得到的硅片，部分去除磷硅玻璃层；(3)对步骤(2)得到的硅片，进行反应离子刻蚀；(4)去除非电极区剩余的磷硅玻璃层，或去除全部剩余的磷硅玻璃层。本发明利用一次重掺杂扩散加氧化形成较厚的PSG层作为掩膜层，不需要额外再生长掩膜层；同时，利用剩余的部分PSG层作为保护层，防止RIE直接轰击硅片表面形成损伤层，不需要额外再去损伤层；步骤简单。 | ||
| 申请公布号 | CN106057921A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610571334.3 | 申请日期 | 2016.07.20 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 发明人 | 王俊;王栩生;邢国强 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 孟金喆;胡彬 |
| 主权项 | 一种微纳米绒面太阳能电池发射极的制备方法，其特征在于，所述方法为：(1)对于去除损伤层后的硅片，在重掺杂扩散的同时，通入氧气形成磷硅玻璃层；(2)对步骤(1)得到的硅片，部分去除磷硅玻璃层；(3)对步骤(2)得到的硅片，进行反应离子刻蚀；(4)对步骤(3)得到的硅片，去除非电极区剩余的磷硅玻璃层，或去除全部剩余的磷硅玻璃层。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 | ||